Info

Präparation

Probenpräparation




Typ:
Ionenstrahl-zerstäubung


Hersteller:
Eigenbau


Targets:
4


Temperaturbereich:
300 – 1000K

Sputteranlage 1

Typ: Ionenstrahl-
zerstäubung
Hersteller: Eigenbau
Targets: 4
Temperaturbereich: 300 – 1000K



Typ:
Ionenstrahl-zerstäubung


Hersteller:
Eigenbau


Targets:
4


Temperaturbereich:
77 - 700K

Sputteranlage 2

Typ: Ionenstrahl-
zerstäubung
Hersteller: Eigenbau
Targets: 4
Temperaturbereich: 77 - 700K
Molekularstrahlepitaxie System




Hersteller:
Omicron


Anzahl Verdampfer:
4


Temperaturbereich:
300 – 900K

MBE (Molecular Beam Epitaxy System)

Molekularstrahlepitaxie System



Hersteller: Omicron
Anzahl Verdampfer: 4
Temperaturbereich: 300 – 900K
Nassbank für Mikrostrukturierung:  (1) Kloé Dilase 250 Laser Writer(2) Spin coater(3) Heissplatte(4) Ultraschallbad (5) Vakuumofen

Mikrostrukturlabor

Nassbank für Mikrostrukturierung: 
(1) Kloé Dilase 250 Laser Writer
(2) Spin coater
(3) Heissplatte
(4) Ultraschallbad
(5) Vakuumofen

Focused Ion Beam FIB

Focused Ion Beam / Scanning Electron Microscope Dualbeam (FEI) with Raith Multibeam
Lithography attachment.

Atomic Layer Deposition ALD

Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PE‐ALD) with in‐situ ellipsometer (SENTECH).

 
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